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RJL5013DPP-A0

500V - 14A - MOS FET High Speed Power Switching

Features  Built-in fast recovery diode  Low on-resistance RDS(on) = 0.42  typ. (at ID = 7 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C)  Low leakage current  High speed switching  Quality grade: Standard

文件:171.36 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJL5013DPP-A0

General-Purpose Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

RJK5013DPP-A0

500V - 14A - MOS FET High Speed Power Switching

Features  Low on-resistance RDS(on) = 0.385  typ. (at ID = 7 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C)  Low leakage current  High speed switching  Quality grade: Standard

文件:171.16 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJMG212K21225CR

RJMG212K21225CR
RJ

RJMG212K21225CR

RJMG212K21225CR

AMPHENOL
RJ

技术参数

  • 封装类型:

    TO-220FPA

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    500

  • ID (A):

    14

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    510

  • Ciss (pF) 典型值:

    1400

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    4

  • VGSS (V):

    30

  • Pch (W):

    30

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

  • 系列名称:

    HV-MOS+FRD

  • QG (nC) 典型值:

    37.6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
R
TO-220F
22+
6000
十年配单,只做原装
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23+
TO-220F
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RENESAS/瑞萨
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TO-220F
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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RENESAS/瑞萨
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更多RJL5013DPP-A0供应商 更新时间2025-10-5 14:02:00