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RJL5012DPE	文件：325.85 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.7Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：325.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RJL5012DPE	文件：86.09 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：86.09 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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RJL5012DPE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

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更多RJL5012DPE供应商更新时间2026-2-2 11:22:00