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RJK60S3DPP-E0-T2	文件：85.06 Kbytes Page：7 Pages	600V - 12A - SJ MOS FET High Speed Power Switching SuperjunctionMOSFET Lowon-resistance RDS(on)=0.35typ.(atID=6A,VGS=10V,Ta=25C) Highspeedswitching tf=21nstyp.(atID=6A,VGS=10V,RL=50,Rg=10,Ta=25C)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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600V - 12A - SJ MOS FET High Speed Power Switching

*SuperjunctionMOSFET *Lowon-resistance *RDS(on)=0.35typ.(atID=6A,VGS=10V,Ta=25C) *Highspeedswitching tf=21nstyp.(atID=6A,VGS=10V,RL=50,Rg=10,Ta=25C)

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更多RJK60S3DPP-E0-T2供应商更新时间2025-5-8 11:00:00

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