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RJK60S3DPE中文资料600V - 12A - SJ MOS FET High Speed Power Switching数据手册Renesas规格书
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特性 Features
● Superjunction MOSFET
● Low on-resistance
RDS(on) = 0.35 Ω typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C)
● High speed switching
tf = 21 ns typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, RL = 50Ω, Rg = 10, Ta = 25°C)
技术参数
- 型号:
RJK60S3DPE
- 制造商:
Renesas Electronics Corporation
- 功能描述:
MOSFET N-CH 600V 12A LDPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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R |
25+ |
LDPAK(S)-(1)TO- |
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LDPAK |
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