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RJK60S3DPD-00-J2中文资料600V - 12A - SJ MOS FET High Speed Power Switching数据手册Renesas规格书
RJK60S3DPD-00-J2规格书详情
特性 Features
• Superjunction MOSFET
• Low on-resistance
RDS(on) = 0.35 Ω typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C)
• High speed switching
tf = 21 ns typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, RL = 50, Rg = 10, Ta = 25°C)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
瑞萨 |
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RENESAS/瑞萨 |
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RENESAS/瑞萨 |
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RENESAS/瑞萨 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
LDPAK |
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原装正品，支持实单 |
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