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RJK60S3DPE-00J3	文件：96.25 Kbytes Page：8 Pages	600V - 12A - SJ MOS FET High Speed Power Switching Features ●SuperjunctionMOSFET ●Lowon-resistance RDS(on)=0.35Ωtyp.(atID=6A,VGS=10V,Ta=25°C) ●Highspeedswitching tf=21nstyp.(atID=6A,VGS=10V,RL=50Ω,Rg=10,Ta=25°C)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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RJK60S3DPE-00J3

文件：96.25 Kbytes

Page：8 Pages

600V - 12A - SJ MOS FET High Speed Power Switching

Features ●SuperjunctionMOSFET ●Lowon-resistance RDS(on)=0.35Ωtyp.(atID=6A,VGS=10V,Ta=25°C) ●Highspeedswitching tf=21nstyp.(atID=6A,VGS=10V,RL=50Ω,Rg=10,Ta=25°C)

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更多RJK60S3DPE-00J3供应商更新时间2025-5-23 9:50:00

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