600V - 12A - SJ MOS FET High Speed Power Switching

Features ● Superjunction MOSFET ● Low on-resistance RDS(on) = 0.35 Ω typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) ● High speed switching tf = 21 ns typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, RL = 50Ω, Rg = 10, Ta = 25°C)

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RENESAS

瑞萨

RJ

RJMG212K21225CR

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RJ

AMPHENOL

安费诺

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PBFREE

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瑞萨

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瑞萨

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