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RJK6024DP3-A0

600 V - 0.4 A - MOS FET High Speed Power Switching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=28Ωtyp.(atID=0.2A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJK6024DP3-A0

Power MOSFETs;

RenesasRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJK6024DP3-A0_15

600 V - 0.4 A - MOS FET High Speed Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

技术参数

  • 封装类型:

    SOT-223A

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    600

  • ID (A):

    0.4

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    4200

  • Ciss (pF) 典型值:

    37.5

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Surface Mount

  • QG (nC) 典型值:

    4.3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
20+
SOT-223
120000
原装正品 可含税交易
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RENESAS/瑞萨
23+
SOT-223
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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RENESAS/瑞萨
2022+
SOT-223
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
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NK/南科功率
2025+
SOT-223
986966
国产
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RENESAS/瑞萨
2511
SOT-223
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
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R
23+
TO-252
6000
原装正品,支持实单
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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VBsemi/台湾微碧
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RENESAS/瑞萨
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RENESAS/瑞萨
20+
TO-252
32500
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更多RJK6024DP3-A0供应商 更新时间2025-7-28 14:01:00