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RJK6020DPK	文件：85.69 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching 文件：85.69 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6020DPK_15	文件：105.33 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：105.33 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6020DPK-00-T0	文件：85.69 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching 文件：85.69 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6020DPK	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
TO-3P
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
600
ID (A)：
32
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
175
Ciss (pF) 典型值：
5150
Vgs (off) (V) 最大值：
4.5
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
200
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole
QG (nC) 典型值：
121

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