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RJK6014DPK

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

RJK6014DPK

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:270.37 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

RJK6014DPK_15

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

RJK6014DPK-00-T0

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

RJK6014DPK

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    TO-3P

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    600

  • ID (A):

    16

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    575

  • Ciss (pF) 典型值:

    1800

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    4.5

  • VGSS (V):

    30

  • Pch (W):

    150

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

  • QG (nC) 典型值:

    45

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
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更多RJK6014DPK供应商 更新时间2025-12-10 15:07:00