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RJK6012DPP-E0	文件：87.18 Kbytes Page：7 Pages	600V - 10A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.77 Ω typ. (at ID = 5 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching 文件：87.18 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多RJK6012DPP-E0供应商更新时间2025-10-13 14:04:00