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SSB-DL6011GW	文件：60.11 Kbytes Page：1 Pages	60mmx11mmSINGLEEDGELITBACKLIGHT565mmGREEN,6DUALCHIPMODULES,CLEARWHITE	Lumex LUMEX INC.	Lumex
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STU6011	文件：28.4 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:600Watts FEATURES: 600Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) TypicalIRlessthen1mAabove10V Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
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SZ6011	文件：476.37 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGERANGE:3.3-200V POWER:5.0Watts Features •CompleteVoltageRange3.3to200Volts •Highpeakreversepowerdissipation •Highreliability •Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SZ6011	文件：483.079 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

详细参数

型号：
RJK6011DJE
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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