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RJK6006DPP-E0

600V - 5A - MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-state resistance RDS(on) = 1.4 Ω typ. (at ID = 2.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • High speed switching

文件:86.22 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK6006DPP-E0

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

RJK6006DPP-E0_15

600V - 5A - MOS FET High Speed Power Switching

文件:86.22 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJMG212K21225CR

RJMG212K21225CR
RJ

RJMG212K21225CR

RJMG212K21225CR

AMPHENOL
RJ

技术参数

  • Vgs (off) (V) max.:

    4.5

  • Nch/Pch:

    Nch

  • VGSS (V):

    30

  • Number of Channels:

    Single

  • Pch (W):

    29

  • VDSS (V) max.:

    600

  • Application:

    High-speed switching

  • ID (A):

    5

  • Mounting Type:

    Through Hole

  • RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V:

    1600

  • Package Type:

    TO-220FP

  • Ciss (pF) typ.:

    600

  • Production Status:

    Mass Production

  • QG (nC) typ.:

    19

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
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TO-220F
50000
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RENESAS/瑞萨
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更多RJK6006DPP-E0供应商 更新时间2025-10-13 11:00:00