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RJK6006DPP-E0

600V - 5A - MOS FET High Speed Power Switching

Features •Lowon-stateresistance RDS(on)=1.4Ωtyp.(atID=2.5A,VGS=10V,Ta=25°C) •Highspeedswitching

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJK6006DPP-E0_15

600V - 5A - MOS FET High Speed Power Switching

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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更多RJK6006DPP-E0供应商 更新时间2024-6-1 15:30:00