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RJK5032DPD	文件：1.07623 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.07623 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RJK5032DPD_15	文件：89.44 Kbytes Page：7 Pages	500V - 3A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：89.44 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK5032DPD-00J2	文件：89.44 Kbytes Page：7 Pages	500V - 3A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：89.44 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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技术参数

封装类型：
MP-3A/TO-252
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
500
ID (A)：
3
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
2800
Ciss (pF) 典型值：
280
Vgs (off) (V) 最大值：
4.5
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
40.3
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
QG (nC) 典型值：
9.2

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更多RJK5032DPD供应商更新时间2025-10-5 14:02:00

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