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RJK5026DPP-M0	文件：104.33 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 1.35 Ω typ. (at ID = 3 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching 文件：104.33 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK5026DPP-M0	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
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更多RJK5026DPP-M0供应商更新时间2025-10-4 14:02:00