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RJK5018DPK	文件：54.68 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching 文件：54.68 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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RJK5018DPK_15	文件：125.45 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：125.45 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK5018DPK	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
TO-3P
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
500
ID (A)：
35
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
155
Ciss (pF) 典型值：
4100
Vgs (off) (V) 最大值：
4.5
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
200
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole
QG (nC) 典型值：
104

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更多RJK5018DPK供应商更新时间2025-10-5 15:02:00

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