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RJK5014DPK

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching

文件:56.11 Kbytes 页数:4 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK5014DPK

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件:109.92 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK5014DPK-00

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching

文件:56.11 Kbytes 页数:4 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK5014DPK_09

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件:109.92 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK5014DPK_15

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件:125.43 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK5014DPK-00-T0

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件:109.92 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK5014DPK

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

RJK5014DPK-00#T0

包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CH 500V

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • 封装类型:

    TO-3P

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    500

  • ID (A):

    19

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    380

  • Ciss (pF) 典型值:

    1800

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    4.5

  • VGSS (V):

    30

  • Pch (W):

    150

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

  • QG (nC) 典型值:

    46

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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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更多RJK5014DPK供应商 更新时间2025-10-4 13:57:00