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RJK5013DPP-E0

500V-14A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

*Lowon-resistance *RDS(on)=0.385typ.(atId=7A,Vgs=10V,Ta=25C) *Lowleakagecurrent *Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJL5013DPP-E0

500V-14A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Built-infastrecoverydiode •Lowon-resistance RDS(on)=0.42Ωtyp.(atID=7A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching

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