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SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.515Ωtyp.(atID=6A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
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