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RJK4502DPD	文件：88.72 Kbytes Page：7 Pages	450V - 2.8A - MOS FET High Speed Power Switching Features  Low on-state resistance RDS(on) = 3  typ. (at ID = 1.4 A, VGS = 10 V, Ta = 25C)  High speed switching 文件：88.72 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK4502DPD	文件：1.08612 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08612 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RJK4502DPD_15	文件：89.47 Kbytes Page：7 Pages	450V - 2.8A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：89.47 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK4502DPD	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
MP-3A/TO-252
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
450
ID (A)：
2.8
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
3850
Ciss (pF) 典型值：
163
Vgs (off) (V) 最大值：
4.5
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
30
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
QG (nC) 典型值：
6.4

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更多RJK4502DPD供应商更新时间2025-10-5 14:02:00

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