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RJK1003DPP-A0	文件：442.37 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel MOS FET 100 V, 50 A, 11 mΩ Features •Highspeedswitching •Lowdrivecurrent •Lowon-resistanceRDS(on)=8.8mΩtyp.(atVGS=10V) •PackageTO-220FPA •QualityGrade:Standard	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK1003DPP-E0	文件：92.2 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel MOS FET 100 V, 50 A, 11 m	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK1003DPP-E0	文件：966.95 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RJK1003DPP-E0	文件：1.61857 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RJK1003DPP-E0_15	文件：92.2 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel MOS FET 100 V, 50 A, 11 m?	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK1003DPP-E0-T2	文件：92.2 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel MOS FET 100 V, 50 A, 11 m	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RL1003CT	文件：256.97 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDSILICONRECTIFIER	HORNBYNantong Hornby Electronic Co.,Ltd 南通康比电子南通康比电子有限公司	HORNBY
RN1003	文件：253.01 Kbytes Page：6 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RQG1003UQAQF	文件：317.44 Kbytes Page：17 Pages	NPNSiliconGermaniumTransistorHighFrequencyLowNoiseAmplifier Features •IdealforLNAapplications.e.g.Tuner,WirelessLANCordlessphoneandetc. •Highgainandlownoise. MSG=26dBtyp.,NF=0.55dBtyp.atVCE=2V,IC=10mA,f=0.9GHz MSG=22dBtyp.,NF=0.65dBtyp.atVCE=2V,IC=10mA,f=1.8GHz MSG=20dBtyp.,NF	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RQG1003UQ-TL-E	文件：317.44 Kbytes Page：17 Pages	NPNSiliconGermaniumTransistorHighFrequencyLowNoiseAmplifier Features •IdealforLNAapplications.e.g.Tuner,WirelessLANCordlessphoneandetc. •Highgainandlownoise. MSG=26dBtyp.,NF=0.55dBtyp.atVCE=2V,IC=10mA,f=0.9GHz MSG=22dBtyp.,NF=0.65dBtyp.atVCE=2V,IC=10mA,f=1.8GHz MSG=20dBtyp.,NF	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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