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RJK0601DPN

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.1mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

文件:349.46 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

RJK0601DPN-E0

N-Channel MOS FET 60 V, 110 A, 3.1 m

文件:91.43 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK0601DPN-E0_15

N-Channel MOS FET 60 V, 110 A, 3.1 m?

文件:91.43 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK0601DPN-E0-T2

N-Channel MOS FET 60 V, 110 A, 3.1 m

文件:91.43 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK0601DPN-E0

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • VGSS (V):

    20

  • Nch/Pch:

    Nch

  • Pch (W):

    200

  • Number of Channels:

    Single

  • Application:

    Low Voltage General Switching

  • VDSS (V) max.:

    60

  • Mounting Type:

    Through Hole

  • ID (A):

    110

  • Package Type:

    TO-220AB

  • RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V:

    3.1

  • Production Status:

    Mass Production

  • Ciss (pF) typ.:

    10000

  • Downloadable:

    SPICE

  • QG (nC) typ.:

    141

  • Web Simulation:

    Renesas VP

  • Vgs (off) (V) max.:

    4

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RENESAS
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更多RJK0601DPN供应商 更新时间2026-1-31 17:31:00