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RJK0208DPA中文资料25V, 65A, 2.0mΩ max. Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching数据手册Renesas规格书

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厂商型号

RJK0208DPA

功能描述

25V, 65A, 2.0mΩ max. Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 9:07:00

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RJK0208DPA规格书详情

特性 Features

 High speed switching
 Capable of 4.5 V gate drive
 Low drive current
 High density mounting
 Low on-resistance
 Pb-free
 Halogen-free

技术参数

  • 型号:

    RJK0208DPA

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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