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RJH60D1DPP-M0	文件：171.44 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelIGBTApplication:Inverter Features ●Shortcircuitwithstandtime(5styp.) ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.9Vtyp.(atIC=10A,VGE=15V,Ta=25°C) ●Builtinfastrecoverydiode(70nstyp.)inonepackage ●Trenchgateandthinwafertechnology ●Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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RJH60D1DPP-M0

文件：171.44 Kbytes

Page：4 Pages

SiliconNChannelIGBTApplication:Inverter

Features ●Shortcircuitwithstandtime(5styp.) ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.9Vtyp.(atIC=10A,VGE=15V,Ta=25°C) ●Builtinfastrecoverydiode(70nstyp.)inonepackage ●Trenchgateandthinwafertechnology ●Highspeedswitching

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