RJH60A83RDPD-A0#J2 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 RENESAS/瑞萨

RJH60A83RDPD-A0#J2参考图片

图片仅供参考,请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:RJH60A83RDPD-A0#J2品牌:RENESAS/瑞萨

当天发货全新原装现货

RJH60A83RDPD-A0#J2是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商RENESAS/瑞萨/Renesas Electronics America Inc生产封装TO-252A/TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63的RJH60A83RDPD-A0#J2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    RJH60A83RDPD-A0#J2

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    RENESAS【瑞萨】详情

  • 厂商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 中文名称:

    瑞萨科技有限公司

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    RJH60A83RDPD-A0#J2

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,10A

  • 开关能量:

    230µJ(开),160µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    31ns/54ns

  • 测试条件:

    300V,10A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252

  • 描述:

    IGBT 600V 10A

供应商

  • 企业:

    深圳市晨豪科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    罗先生/严小姐/叶先生/邹先生

  • 手机:

    13923798387

  • 询价:
  • 电话:

    0755-82732291 /0755-85274662

  • 地址:

    深圳市福田区中航路新亚洲电子商城一期2A103