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RJH1CF4RDPQ-80

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件:105.25 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJH1CF4RDPQ-80

IGBTs

Renesas

瑞萨

RJH1CF4RDPQ-80_15

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件:105.25 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJH1CF4RDPQ-80#T2

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 40A 156.2W TO247

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

技术参数

  • 可下载:

    SPICE

  • 封装类型:

    TO-247

  • 通道数:

    Single

  • 配置[器件]:

    Built-In FRD

  • IH:

    YES

  • VCES (V):

    1200

  • Ic (峰值) (A):

    80

  • IC (A) @25 °C:

    40

  • IC (A) @100 °C:

    20

  • VCE (sat)(V):

    2

  • tf (µs) 典型值:

    0.3

  • FRD Vf (V):

    4.2

  • Pch (W):

    156.2

  • 应用:

    IH Cooker/Inverter

  • 安装类型:

    Through Hole

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更多RJH1CF4RDPQ-80供应商 更新时间2025-10-10 11:00:00