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RJ1R10BBH	文件：2.7525 Mbytes Page：13 Pages	丝印：RJ1R10BBH；Package：TO-263AB；Nch 150V 105A Power MOSFET Features 1) Low on-resistance 2) High power small mold package (TO263AB) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) 100 Rg and UIS tested 5) Halogen free Application Switching 文件：2.7525 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RJ1R10BBH	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 150V 105A, TO-263AB, Power MOSFET RJ1R10BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching. • Low on-resistance\n• High power small mold package (TO263AB)\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• 100% Rg and UIS tested\n• Halogen free;	ROHM 罗姆	ROHM
OAR-1R10F	文件：95.11 Kbytes Page：2 Pages	Open Air Sense Resistors 文件：95.11 Kbytes 页数：2 Pages	WELWYN	WELWYN
OAR-1R10G	文件：95.11 Kbytes Page：2 Pages	Open Air Sense Resistors 文件：95.11 Kbytes 页数：2 Pages	WELWYN	WELWYN
OAR-1R10J	文件：95.11 Kbytes Page：2 Pages	Open Air Sense Resistors 文件：95.11 Kbytes 页数：2 Pages	WELWYN	WELWYN

技术参数

封装：
TO-263AB-3LSHYAD
包装数量：
800
最小独立包装数量：
800
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-263AB
Applications：
Switching
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
150
Drain Current ID[A]：
105
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)：
0.0067
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0063
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0067
Total gate charge Qg[nC]：
86
Power Dissipation (PD)[W]：
181
Drive Voltage[V]：
6
Trr (Typ.)[ns]：
170
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.11×15.1 (t=4.77)

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更多RJ1R10BBH供应商更新时间2025-12-23 12:00:00

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