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RJ1R04BBH	文件：2.45999 Mbytes Page：13 Pages	丝印：RJ1R04BBH；Package：TO-263AB；Nch 150V 40A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power package(TO263AB) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen free 5) 100% Rg and UIS tested Application Switching Motor Drives DC/DC converter 文件：2.45999 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RJ1R04BBH	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 150V 40A, TO-263AB, Power MOSFET RJ1R04BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter. • Low on - resistance\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• 100% Rg and UIS tested;	ROHM 罗姆	ROHM
SMC1R04GT	文件：209.7 Kbytes Page：2 Pages	SCREW MACHINE SOCKETS & TERMINAL STRIPS 文件：209.7 Kbytes 页数：2 Pages	ADAM-TECH 亚当科技	ADAM-TECH
SMC1R04TT	文件：209.7 Kbytes Page：2 Pages	SCREW MACHINE SOCKETS & TERMINAL STRIPS 文件：209.7 Kbytes 页数：2 Pages	ADAM-TECH 亚当科技	ADAM-TECH
STTH1R04	文件：133.61 Kbytes Page：10 Pages	Ultrafast recovery diode 文件：133.61 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

封装：
TO-263AB-3LSHYAD
包装形态：
Taping
包装数量：
800
最小独立包装数量：
800
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-263AB
Applications：
Switching
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
150
Drain Current ID[A]：
40
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)：
0.022
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.021
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.022
Total gate charge Qg[nC]：
25
Power Dissipation (PD)[W]：
89
Drive Voltage[V]：
6
Trr (Typ.)[ns]：
115
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.11x15.1 (t=4.77)

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更多RJ1R04BBH供应商更新时间2025-12-3 12:00:00

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