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RJ1P04BBH	文件：3.20205 Mbytes Page：13 Pages	丝印：RJ1P04BBH；Package：TO-263AB；Nch 100V 80A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power small mold package (TO263AB) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) 100 UIS tested Application Switching 文件：3.20205 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RJ1P04BBH	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 100V 80A, TO-263AB, Power MOSFET RJ1P04BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching. • Low on - resistance\n• High power small mold package(TO263AB)\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• 100% UIS tested;	ROHM 罗姆	ROHM
RJ45	文件：0 bytes Page：0 Pages	网络接口	进口上传：深圳市佳杰伟业科技有限公司	进口
RJCSE538001	文件：0 bytes Page：0 Pages		AMPHENOL 安费诺上传：深圳市阅创想科技有限公司	AMPHENOL
RJE0605JPD-00-J3	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO252	RENESAS 瑞萨上传：深圳市旺财半导体有限公司	RENESAS

技术参数

封装：
TO-263AB-3LSHYAD
包装数量：
800
最小独立包装数量：
800
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-263AB
Applications：
Switching
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
100
Drain Current ID[A]：
80
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)：
0.0084
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0068
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0084
Total gate charge Qg[nC]：
25
Power Dissipation (PD)[W]：
89
Drive Voltage[V]：
6
Trr (Typ.)[ns]：
63
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.11×15.1 (t=4.77)

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