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RJ1L04BBG	文件：2.65171 Mbytes Page：13 Pages	丝印：RJ1L04BBG；Package：TO-263AB；Nch 60V 100A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power package(TO263AB) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen free 5) 100% Rg and UIS tested Application Switching Motor drives DC/DC converter 文件：2.65171 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RJ1L04BBG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 60V 100A, TO-263AB, Power MOSFET RJ1L04BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter. • Low on - resistance\n• High power package (TO263AB)\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• Halogen free\n• 100% Rg and UIS tested;	ROHM 罗姆	ROHM
ST1L04	文件：558.16 Kbytes Page：11 Pages	LOW QUIESCENT CURRENT VOLTAGE REGULATOR 文件：558.16 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
ST1L04PT	文件：558.16 Kbytes Page：11 Pages	LOW QUIESCENT CURRENT VOLTAGE REGULATOR 文件：558.16 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Status：
推荐品
封装：
TO-263AB-3LSHYAD
包装形态：
Taping
包装数量：
800
最小独立包装数量：
800
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-263AB
Applications：
Switching
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
100
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)：
0.0046
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：
0.0035
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)：
0.0046
Total gate charge Qg[nC]：
23
Power Dissipation (PD)[W]：
89
Drive Voltage[V]：
4.5
Trr (Typ)[ns]：
49
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]：
-55
Storage Temperature (Max)[℃]：
150
Package Size [mm]：
10.11x15.1 (t=4.77)

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