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RJ1G10BBG	文件：2.67417 Mbytes Page：13 Pages	丝印：RJ1G10BBG；Package：TO-263AB；Nch 40V 280A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power package(TO263AB) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen free 5) 100% Rg and UIS tested Application Switching Motor drives DC/DC converter 文件：2.67417 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RJ1G10BBG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 40V 280A, TO-263AB, Power MOSFET RJ1G10BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter. • Low on - resistance\n• High power package (TO263AB)\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• Halogen free\n• 100% Rg and UIS tested;	ROHM 罗姆	ROHM
SID1G10CM	文件：41.56 Kbytes Page：2 Pages	Infrared LEDs 文件：41.56 Kbytes 页数：2 Pages	Sanken 三垦	Sanken
SK1G10	文件：392.95 Kbytes Page：4 Pages	Rectifier Diodes Rectifier Diodes Applications • General purpose rectifier diodes for high quality requirement • For printed circuit board mounting 文件：392.95 Kbytes 页数：4 Pages	Semikron 赛米控丹佛斯	Semikron

技术参数

封装：
TO-263AB-3LSHYAD
包装形态：
Taping
包装数量：
800
最小独立包装数量：
800
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-263AB
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
40
Drain Current ID[A]：
280
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)：
0.00132
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：
0.0011
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)：
0.00132
Total gate charge Qg[nC]：
105
Power Dissipation (PD)[W]：
192
Drive Voltage[V]：
4.5
Trr (Typ)[ns]：
100
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]：
-55
Storage Temperature (Max)[℃]：
150
Package Size [mm]：
15.1×10.11 (t=4.77)

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