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RI75N650T7	文件：560.63 Kbytes Page：7 Pages	丝印：i75N65；Package：TO-247；IGBT Feature 650V,75A Low switching power loss Low switching surge and noise Advanced Fieldstop technology Low EMI Maximum junction temperature 175°C Qualified according to JEDEC for target applications Pb-free lead plating, halogen-free mold compound, RoHS compliant 文件：560.63 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RI75N650T7	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
RI80	文件：0 bytes Page：0 Pages	直插	YJ 上传：深圳市佳杰伟业科技有限公司	YJ
RISE3501	文件：0 bytes Page：0 Pages	TQFP48	RISECOMM 上传：深圳市河锋鑫科技有限公司	RISECOMM
RI-TRP-B9WK-F5	文件：0 bytes Page：0 Pages		TI 德州仪器上传：深圳市佳鑫美电子科技有限公司	TI

技术参数

Id @ 25C (A)：
115 A
Total Gate Charge (nQ) typ：
330 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
420 W
Vgs(th) (typ)：
5.8 V
Input Capacitance (Ciss)：
9600 pF
Mounting Style：
Through Hole
Package / Case：
TO-247
Notes：
IGBT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RI75N650T7供应商更新时间2026-1-27 11:10:00

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