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RI4N70	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
RMP4N70IP	文件：1.07569 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES • Low Crss • Low gate charge • Fast switching • Improved ESD capability • Improved dv/dt capability • 100% avalanche energy test 文件：1.07569 Mbytes 页数：10 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RMP4N70LD	文件：1.07569 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES • Low Crss • Low gate charge • Fast switching • Improved ESD capability • Improved dv/dt capability • 100% avalanche energy test 文件：1.07569 Mbytes 页数：10 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RMP4N70TI	文件：1.07569 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES • Low Crss • Low gate charge • Fast switching • Improved ESD capability • Improved dv/dt capability • 100% avalanche energy test 文件：1.07569 Mbytes 页数：10 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON

更多RI4N70供应商更新时间2025-12-24 13:31:00