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RGW80TS65D

丝印:RGW80TS65D;Package:TO-247N;650V 40A Field Stop Trench IGBT

Features 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage 2) High Speed Switching 3) Low Switching Loss & Soft Switching 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD 5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant Applications PFC UPS Welding Solar Inverter IH

文件:1.83195 Mbytes 页数:12 Pages

ROHM

罗姆

RGW80TS65D

超高速开关型, 650V 40A, 内置快速反向恢复二极管, TO-247N,沟槽式场截止型 IGBT

RGW80TS65D是以高速开关为特点的IGBT。适合PFC、太阳能变频器、UPS、焊接、IH等用途。 • Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n• High Speed Switching\n• Low Switching Loss & Soft Switching\n• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD\n• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant;

ROHM

罗姆

RGW80TS65DGC11

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

RGW80TS65DHRC11

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

技术参数

  • 封装:

    TO-247N

  • 包装数量:

    450

  • 最小独立包装数量:

    30

  • 包装形态:

    Tube

  • RoHS:

    Yes

  • Series:

    W

  • VCES [V]:

    650

  • IC(100°C)[A]:

    40

  • VCE(sat) (Typ.) [V]:

    1.5

  • tf(Typ.) [ns]:

    34

  • Built-in Diode:

    FRD

  • BVCES (Min.)[V]:

    650

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

  • Package Size [mm]:

    16x21 (t=5.2)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Rohm Semiconductor
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更多RGW80TS65D供应商 更新时间2025-10-9 15:01:00