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RGT50NL65D

650V 25A Field Stop Trench IGBT

文件:1.21582 Mbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RGT50NL65DGTL

Trench gate Field-Stop IGBT

DESCRIPTION · Low Collector - Emitter Saturation Voltage · Low Switching Loss · Built in Very Fast & Soft Recovery FRD APPLICATIONS ·General Inverter · UPS ·Power Conditioner

文件:330.93 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

RGT50NL65D

短路耐量 5µs, 650V 25A,内置快速反向恢复二极管, LPDL, 沟槽式场截止型 IGBT

RGT50NL65D是低VCE(sat)的Field Stop Trench IGBT。适合逆变器、UPS、功率调节器、焊接等用途。 • Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n• Low Switching Loss\n• Short Circuit Withstand Time 5μs\n• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)\n• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant;

ROHM

罗姆

RGT50NL65DGTL

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:FIELD STOP TRENCH IGBT

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    LPDL

  • 包装数量:

    1000

  • 最小独立包装数量:

    1000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Series:

    T

  • VCES [V]:

    650

  • IC(100°C)[A]:

    25

  • VCE(sat) (Typ.) [V]:

    1.65

  • tf(Typ.) [ns]:

    65

  • tsc(Min.) [us]:

    5

  • Built-in Diode:

    FRD

  • Pd [W]:

    194

  • BVCES (Min.)[V]:

    650

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

  • Package Size [mm]:

    10.1x15.1 (t=4.7)

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更多RGT50NL65D供应商 更新时间2026-2-2 14:04:00