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RGS80TSX2HR分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

RGS80TSX2HR

参数属性

RGS80TSX2HR 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

功能描述

1200V 40A Field Stop Trench IGBT
1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

丝印标识

RGS80TSX2

封装外壳

TO-247N / TO-247-3

文件大小

902.29 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

ROHM

中文名称

罗姆

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 20:00:00

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RGS80TSX2HR规格书详情

RGS80TSX2HR属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由罗姆半导体集团制造生产的RGS80TSX2HR晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

特性 Features

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage

2) Short Circuit Withstand Time 10μs

3) Qualified to AEC-Q101

4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

Application

Heater for Automotive

产品属性

更多
  • 产品编号:

    RGS80TSX2HRC11

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    3mJ(开),3.1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    49ns/199ns

  • 测试条件:

    600V,40A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247N

  • 描述:

    1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

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