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RGS80TSX2HR分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
RGS80TSX2HR |
参数属性 | RGS80TSX2HR 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT |
功能描述 | 1200V 40A Field Stop Trench IGBT |
丝印标识 | |
封装外壳 | TO-247N / TO-247-3 |
文件大小 |
902.29 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | ROHM |
中文名称 | 罗姆 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-13 20:00:00 |
人工找货 | RGS80TSX2HR价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
RGS80TSX2HR规格书详情
RGS80TSX2HR属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由罗姆半导体集团制造生产的RGS80TSX2HR晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
特性 Features
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Short Circuit Withstand Time 10μs
3) Qualified to AEC-Q101
4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
Application
Heater for Automotive
产品属性
更多- 产品编号:
RGS80TSX2HRC11
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,40A
- 开关能量:
3mJ(开),3.1mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
49ns/199ns
- 测试条件:
600V,40A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247N
- 描述:
1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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