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RGS80TSX2D分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

RGS80TSX2D
厂商型号

RGS80TSX2D

参数属性

RGS80TSX2D 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

功能描述

1200V 40A Field Stop Trench IGBT
1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

文件大小

1.0512 Mbytes

页面数量

13

生产厂商 Rohm Semiconductor
企业简称

ROHM罗姆

中文名称

罗姆半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-14 22:59:00

RGS80TSX2D规格书详情

RGS80TSX2D属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。罗姆半导体集团制造生产的RGS80TSX2D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    RGS80TSX2DHRC11

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    3mJ(开),3.1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    49ns/199ns

  • 测试条件:

    600V,40A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247N

  • 描述:

    1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

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