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RGP30M数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

RGP30M

参数属性

RGP30M 封装/外壳为DO-201AD,轴向;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

功能描述

3A,1000V,500ns,Fast Recovery Rectifiers

封装外壳

DO-201AD,轴向

制造商

Galaxy Galaxy Power, Inc.

中文名称

银河微

原厂标识
Galaxy
数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-4 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :RGP30M

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • AEC Qualified

    :NO

  • Pb Free

    :YES

  • Halide free

    :NO

  • Reach

    :YES

  • RoHS

    :YES

  • Marketing Status

    :Active

  • Configuration

    :Single

  • VRRM(V)max.

    :1000

  • IF(A)max.

    :3

  • VF (V)max

    :1.3

  • IFSM(A)max.

    :125

  • IR(uA)max.

    :5

  • trr(ns)max

    :500

  • TJ(°C)max.

    :125

  • TJ(°C)min.

    :-55

  • ECCN(US)

    :EAR99

  • Category

    :快恢复二极管

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