RGP30M中文资料3A,1000V,500ns,Fast Recovery Rectifiers数据手册Galaxy规格书
| 厂商型号 |
RGP30M |
| 参数属性 | RGP30M 封装/外壳为DO-201AD，轴向；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD |
| 功能描述 | 3A,1000V,500ns,Fast Recovery Rectifiers |
| 封装外壳 | DO-201AD，轴向 |
| 制造商 | Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
| 中文名称 | 银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-30 22:59:00 |
| 人工找货 | RGP30M价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 制造商编号
：RGP30M
- 生产厂家
：Galaxy
- AEC Qualified
：NO
- Pb Free
：YES
- Halide free
：NO
- Reach
：YES
- RoHS
：YES
- Marketing Status
：Active
- Configuration
：Single
- VRRM(V)max.
：1000
- IF(A)max.
：3
- VF (V)max
：1.3
- IFSM(A)max.
：125
- IR(uA)max.
：5
- trr(ns)max
：500
- TJ(°C)max.
：125
- TJ(°C)min.
：-55
- ECCN(US)
：EAR99
- Category
：快恢复二极管
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
11816 |
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询价 | ||
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DO-201A |
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VISHAY/威世 |
22+ |
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询价 | |||
VISHAY/威世 |
25+ |
DO-201AD |
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VISHAY |
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VIS |
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DO-201AD |
880000 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
DO-201AD |
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VISHAYMAS |
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VISHAY |
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DO-41 |
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GENERALSEMICONDUCTOR |
新 |
20 |
全新原装 货期两周 |
询价 |
