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RGP30J中文资料3A,600V,250ns,Fast Recovery Rectifiers数据手册Galaxy规格书

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厂商型号

RGP30J

参数属性

RGP30J 封装/外壳为DO-201AD,轴向;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

功能描述

3A,600V,250ns,Fast Recovery Rectifiers

封装外壳

DO-201AD,轴向

制造商

Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:59:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :RGP30J

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • AEC Qualified

    :NO

  • Pb Free

    :YES

  • Halide free

    :NO

  • Reach

    :YES

  • RoHS

    :YES

  • Marketing Status

    :Active

  • Configuration

    :Single

  • VRRM(V)max.

    :600

  • IF(A)max.

    :3

  • VF (V)max

    :1.3

  • IFSM(A)max.

    :125

  • IR(uA)max.

    :5

  • trr(ns)max

    :250

  • TJ(°C)max.

    :125

  • TJ(°C)min.

    :-55

  • ECCN(US)

    :EAR99

  • Category

    :快恢复二极管

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