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RGCL60TS60D	文件：300 bytes Page：1 Pages	低VCE(sat) 型, 600V 30A, 内置快速反向恢复二极管, TO-247GE, 沟槽式场截止型 IGBT 罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。 • Low Collector-Emitter Saturation Voltage\n• Soft Switching\n• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)\n• Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
RGCL60TS60D	文件：902.37 Kbytes Page：13 Pages	600V 30A Field Stop Trench IGBT 文件：902.37 Kbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RGCL60TS60DGC11	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
RGCL60TS60DGC13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：LOW VCE(SAT) TYPE, 600V 30A, FRD	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor

技术参数

封装：
TO-247GE
包装数量：
600
最小独立包装数量：
30
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Series：
CL
VCES [V]：
600
IC(100°C)[A]：
30
VCE(sat) (Typ.) [V]：
1.4
tf(Typ.) [ns]：
178
Built-in Diode：
FRD
Pd [W]：
111
BVCES (Min.)[V]：
600
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
15.94x20.95 (t=5.02)

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更多RGCL60TS60D供应商更新时间2025-10-13 16:01:00

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