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3580	文件：24.74 Kbytes Page：1 Pages	Triaxial(F)BulkheadReceptacle	POMONA Pomona Electronics	POMONA
3580	文件：2.32549 Mbytes Page：6 Pages	HighVoltageOPERATIONALAMPLIFIERS	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
3580	文件：231.87 Kbytes Page：1 Pages	Nytye®MountingPlatforms	HeycoHeyco. 海科海科(Heyco)	Heyco
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APL3580HAI-TRG	文件：223.21 Kbytes Page：14 Pages	33mW3AHighSideLoadSwitches	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
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APT3580CN	文件：297.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=350V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT3580GN	文件：297.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=350V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ATN3580	文件：112.8 Kbytes Page：4 Pages	FixedAttenuatorPads Description TheATN3580seriesofattenuatorchipsincorporatethinfilmresistorsonhighresistivitysiliconchipstoachieveprecisionattenuation,tightflatnessandhighreturnlossto40GHz.ThedesignusesabalancedTEEresistivestructuretoassurebroadbandwidthperformance.Thethin	SKYWORKSSkyworks Solutions Inc. 思佳讯美国思佳讯公司	SKYWORKS
BP3580	文件：936.09 Kbytes Page：2 Pages	IntegratedWirelessLANModules	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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更多RFPD3580C供应商更新时间2024-6-7 10:30:00

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