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RFPD3580	文件：572.95 Kbytes Page：8 Pages	GaAs/GaN Power Doubler Hybrid 文件：572.95 Kbytes 页数：8 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RFPD3580	文件：572.95 Kbytes Page：8 Pages	GaAs/GaN Power Doubler Hybrid 45MHz to 1218MHz 文件：572.95 Kbytes 页数：8 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
RFPD3580	文件：300 bytes Page：1 Pages	45 - 1218 MHz, 23 dB GaAs / GaN Power Doubler Hybrid Amplifier Qorvo's RFPD3580 is a Hybrid Power Doubler amplifier module. The part employs GaAs pHEMT die and GaN HEMT die and operates from 45MHz to 1218MHz. It provides extremely high output up to 76.8dBmV composite power or 67dBmV virtual level. DC current as well as supply voltage of the device can be extern • Extremely High Output Capability\n• Excellent Linearity\n• Superior Return Loss Performance\n• Optimal Reliability\n• Unconditionally Stable Under All Terminations\n• 22.5dB Min. Gain at 1218MHz\n• 550mA Max.\n• Devices works at V+ between 24V and 34V;	Qorvo 威讯联合	Qorvo
S3580	文件：148.29 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Power Rectifier Silicon Power Rectifier ● Low Forward Voltage ● Glass to Metal Seal Construction ● Glass Passivated Die ● VRRM to 1600V ● 1050 Amps Surge Rating 文件：148.29 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
S3580	文件：119.09 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Rectifier Silicon Power Rectifier ● Low Forward Voltage ● Glass to Metal Construction ● Glass Passivated Die ● Excellent Reliability ● VRRM to 1600V ● 1050 Amps Surge Rating 文件：119.09 Kbytes 页数：3 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
S3580	文件：136.59 Kbytes Page：2 Pages	SILICON POWER RECTIFIER Silicon Power Rectifier ● Low Forward Voltage ● Glass to Metal Seal Construction ● Glass Passivated Die ● VRRM to 1600V ● 1050 Amps Surge Rating 文件：136.59 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi

技术参数

频率最小值(MHz)：
45
频率最大值(MHz)：
1
增益(dB)：
23
Pout(dBmV)：
63
CSO(dBc)：
-80
CTB(dBc)：
-80
XMOD(dBc)：
-75
NF(dB)：
3
电压(V)：
34
电流(mA)：
530
封装类型：
SOT115J
ECCN：
5A991.G

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