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RFN6RSM2S	文件：3.07252 Mbytes Page：10 Pages	丝印：RFN6RSM2S；Package：TO-277A；Ultra Fast Recovery Diode ●Features Low forward voltage Low switching loss High current overload capacity ●Application General rectification 文件：3.07252 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RFN6RSM2STF	文件：3.19704 Mbytes Page：10 Pages	丝印：RFN6RSM2S；Package：TO-277A；Ultra Fast Recovery Diode ●Features Low forward voltage Low switching loss High current overload capacity ●Application General rectification 文件：3.19704 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RFN6RSM2S	文件：300 bytes Page：1 Pages	200V 6A 14ns, TO-277A, Ultra Fast Recovery Diode RFN6RSM2S is a silicon epitaxial planar type ultra fast recovery diode featuring low VF and low switching loss. Ideal for general rectification applications. • Low forward voltage\n• Low switching loss\n• High current overload capacity;	ROHM 罗姆	ROHM
RFN6RSM2STF	文件：300 bytes Page：1 Pages	200V 6A 14ns, TO-277A, Ultra Fast Recovery Diode for Automotive RFN6RSM2STF is a silicon epitaxial planar type ultra fast recovery diode featuring low VF and low switching loss. Ideal for general rectification applications. • Low forward voltage\n• Low switching loss\n• High current overload capacity;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-277GE
包装数量：
4000
最小独立包装数量：
4000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Configuration：
Single
Package Code：
TO-277A
Mounting Style：
Surface mount
Number of terminal：
3
VRM[V]：
200
Reverse Voltage VR[V]：
200
Average Rectified Forward Current IO[A]：
6
IFSM[A]：
80
Forward Voltage VF(Max.)[V]：
0.93
IF @ Forward Voltage [A]：
6
Reverse Current IR(Max.)[mA]：
0.001
VR @ Reverse Current [V]：
200
trr(Max.)[ns]：
14
IF @ trr [mA]：
500
IR @ trr [A]：
1
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
4.6x6.5 (t=1.2)

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更多RFN6RSM2S供应商更新时间2025-10-9 17:39:00

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