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RFN6BGE2D中文资料超快速恢复二极管数据手册ROHM规格书

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厂商型号

RFN6BGE2D

参数属性

RFN6BGE2D 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN6B

功能描述

超快速恢复二极管
SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN6B

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:01:00

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RFN6BGE2D规格书详情

描述 Description

RFN6BGE2D是一般整流用途的快速恢复二极管。

特性 Features

• Cathode common dual type
• Low switching loss
• High current overload capacity

简介

RFN6BGE2D属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的RFN6BGE2D二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :RFN6BGE2D

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TO-252

  • 包装数量

    :2500

  • 最小独立包装数量

    :2500

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Configuration

    :C-Common

  • Package Code

    :TO-252 (DPAK)

  • Package(JEITA)

    :SC-63

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Number of terminal

    :3

  • VRM[V]

    :200

  • Reverse Voltage VR[V]

    :200

  • Average Rectified Forward Current IO[A]

    :6

  • IFSM[A]

    :40

  • Forward Voltage VF(Max.)[V]

    :0.98

  • IF @ Forward Voltage [A]

    :3

  • Reverse Current IR(Max.)[mA]

    :0.01

  • VR @ Reverse Current [V]

    :200

  • trr(Max.)[ns]

    :25

  • IF @ trr [mA]

    :500

  • IR @ trr [A]

    :1

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

  • Package Size [mm]

    :6.6x10 (t=2.4)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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