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RFN3BM6S中文资料超快速恢复二极管数据手册ROHM规格书

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厂商型号

RFN3BM6S

参数属性

RFN3BM6S 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

功能描述

超快速恢复二极管
DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 22:59:00

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RFN3BM6S规格书详情

描述 Description

RFN3BM6S是一般整流用的快速恢复二极管。

特性 Features

·Low switching loss
·Low forward voltage

简介

RFN3BM6S属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的RFN3BM6S二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :RFN3BM6S

  • 生产厂家

    :ROHM

  • Package Code

    :TO-252(DPAK)

  • Package(JEITA)

    :SC-63

  • Package Size[mm]

    :6.6x10.0(t=2.2)

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Number of terminal

    :3

  • VRM[V]

    :600

  • Reverse Voltage VR[V]

    :600

  • Average Rectified Forward Current IO[A]

    :3.0

  • IFSM[A]

    :20.0

  • Forward Voltage VF(Max.)[V]

    :1.55

  • IF @ Forward Voltage [A]

    :3.0

  • Reverse Current IR(Max.)[mA]

    :0.01

  • VR @ Reverse Current [V]

    :600

  • trr(Max.)[ns]

    :30

  • IF @ trr [mA]

    :500

  • IR @ trr [A]

    :1.0

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

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