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RFN4RSM2STF	文件：3.06312 Mbytes Page：10 Pages	丝印：RFN4RSM2S；Package：TO-277A；Ultra Fast Recovery Diode ●Features Low forward voltage Low switching loss High current overload capacity ●Application General rectification 文件：3.06312 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RFN4RSM2STF	文件：300 bytes Page：1 Pages	200V 4A 13ns, TO-277A, Ultra Fast Recovery Diode for Automotive RFN4RSM2STF is a silicon epitaxial planar type ultra fast recovery diode featuring low VF and low switching loss. Ideal for general rectification applications. • Low forward voltage\n• Low switching loss\n• High current overload capacity;	ROHM 罗姆	ROHM
RFN4RSM2S	文件：3.0635 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Fast Recovery Diode ●Features Low forward voltage Low switching loss High current overload capacity ●Application General rectification 文件：3.0635 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RFP-150N50TE	文件：0 bytes Page：0 Pages	MODULE	ANAREN 上传：深圳市旺财半导体有限公司	ANAREN
RFPA0133	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂原封	QORVO 威讯联合上传：深圳科宇泰科技有限公司	QORVO

技术参数

封装：
TO-277GE
包装数量：
4000
最小独立包装数量：
4000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Configuration：
Single
Package Code：
TO-277A
Mounting Style：
Surface mount
Number of terminal：
3
VRM[V]：
200
Reverse Voltage VR[V]：
200
Average Rectified Forward Current IO[A]：
4
IFSM[A]：
80
Forward Voltage VF(Max.)[V]：
0.93
IF @ Forward Voltage [A]：
4
Reverse Current IR(Max.)[mA]：
0.001
VR @ Reverse Current [V]：
200
trr(Max.)[ns]：
13
IF @ trr [mA]：
500
IR @ trr [A]：
1
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
4.6x6.5 (t=1.2)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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