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RFN2VWM2STF	文件：1.60169 Mbytes Page：8 Pages	丝印：3F；Package：PMDE；Ultra Fast Recovery Diode ●Features Low forward voltage Low switching loss High current overload capacity ●Application General rectification 文件：1.60169 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RFN2VWM2STF	文件：300 bytes Page：1 Pages	200V 2A 14ns, PMDE, 车载用超快恢复二极管 RFN2VWM2STF是trr（高频工作时的重要参数）非常出色的二极管。该产品用小型PMDE封装实现了与ROHM以往产品同等的电气特性。PMDE是可靠性高、散热性能优异的封装形式。 • Low switching loss\n• Low forward voltage\n• High current overload capacity;	ROHM 罗姆	ROHM
RFN2VWM2STFTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：2-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：200V 2A 14NS, PMDE, ULTRA FAST R	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
RFN2VWM2S	文件：1.60159 Mbytes Page：8 Pages	Ultra Fast Recovery Diode ●Features Low forward voltage Low switching loss High current overload capacity ●Application General rectification 文件：1.60159 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
PMDE
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Configuration：
Single
Mounting Style：
Surface mount
Number of terminal：
2
VRM[V]：
200
Reverse Voltage VR[V]：
200
Average Rectified Forward Current IO[A]：
2
IFSM[A]：
20
Forward Voltage VF(Max.)[V]：
0.99
IF @ Forward Voltage [A]：
2
Reverse Current IR(Max.)[mA]：
0.001
VR @ Reverse Current [V]：
200
trr(Max.)[ns]：
25
IF @ trr [mA]：
0.5
IR @ trr [A]：
1
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
1.3x2.5 (t=1)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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更多RFN2VWM2STF供应商更新时间2025-10-8 14:01:00

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