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RFN20T2D	文件：1.14361 Mbytes Page：5 Pages	Super Fast Recovery Diode Applications General rectification Features 1)Cathode common Dual type. (TO-220) 2)Low VF 3)Low switching loss Construction Silicon epitaxial planer 文件：1.14361 Mbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RFN20T2DNZ	文件：1.32401 Mbytes Page：7 Pages	丝印：RFN20T2D；Package：TO-220FN；Super Fast Recovery Diode Applications General rectification Features 1) Cathode common dual type 2) Low VF 3) Low switching loss 文件：1.32401 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RFN20T2DFH	文件：983.3 Kbytes Page：8 Pages	Super Fast Recovery Diode 文件：983.3 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RFN20T2DNZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	超快速恢复二极管 RFN20T2DNZ是低VF的一般整流用快速恢复二极管。 • Cathode common dual type\n• Low VF\n• Low switching loss;	ROHM 罗姆	ROHM
RFN20T2DNZC9	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SUPER FAST RECOVERY DIODE : RFN2	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-220FN (3PIN)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Configuration：
C-Common
Package Code：
ITO-220AB
Mounting Style：
Leaded type
Number of terminal：
3
VRM[V]：
200
Reverse Voltage VR[V]：
200
Average Rectified Forward Current IO[A]：
20
IFSM[A]：
100
Forward Voltage VF(Max.)[V]：
0.98
IF @ Forward Voltage [A]：
10
Reverse Current IR(Max.)[mA]：
0.01
VR @ Reverse Current [V]：
200
trr(Max.)[ns]：
30
IF @ trr [mA]：
500
IR @ trr [A]：
1
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10x15 (t=4.9)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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