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RFN1VWM2S	文件：1.56915 Mbytes Page：8 Pages	丝印：2F；Package：PMDE；Ultra Fast Recovery Diode ●Features Low forward voltage Low switching loss High current overload capacity ●Application General rectification 文件：1.56915 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RFN1VWM2STF	文件：1.57922 Mbytes Page：8 Pages	丝印：2F；Package：PMDE；nullUltra Fast Recovery Diode ●Features Low forward voltage Low switching loss High current overload capacity ●Application General rectification 文件：1.57922 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RFN1VWM2S	文件：300 bytes Page：1 Pages	200V 1A 14ns, PMDE, 超快恢复二极管 RFN1VWM2S是trr（高频工作时的重要参数）非常出色的二极管。该产品用小型PMDE封装实现了与ROHM以往产品同等的电气特性。PMDE是可靠性高、散热性能优异的封装形式。 • Low switching loss\n• Low forward voltage\n• High current overload capacity;	ROHM 罗姆	ROHM
RFN1VWM2STF	文件：300 bytes Page：1 Pages	200V 1A 14ns, PMDE, 车载用超快恢复二极管 RFN1VWM2STF是trr（高频工作时的重要参数）非常出色的二极管。该产品用小型PMDE封装实现了与ROHM以往产品同等的电气特性。PMDE是可靠性高、散热性能优异的封装形式。 • Low switching loss\n• Low forward voltage\n• High current overload capacity;	ROHM 罗姆	ROHM
RFN1VWM2STFTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：2-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：200V 1A 14NS, PMDE, ULTRA FAST R	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
RFN1VWM2STR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：2-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：200V 1A 14NS, PMDE, ULTRA FAST R	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor

技术参数

封装：
PMDE
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Configuration：
Single
Mounting Style：
Surface mount
Number of terminal：
2
VRM[V]：
200
Reverse Voltage VR[V]：
200
Average Rectified Forward Current IO[A]：
1
IFSM[A]：
20
Forward Voltage VF(Max.)[V]：
0.93
IF @ Forward Voltage [A]：
1
Reverse Current IR(Max.)[mA]：
0.001
VR @ Reverse Current [V]：
200
trr(Max.)[ns]：
25
IF @ trr [mA]：
0.5
IR @ trr [A]：
1
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
1.3x2.5 (t=1)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海皇华信息科技有限公司	RFN1VWM2STR	ROHM Semiconductor	2138		100	Rohm授权代理,自营现货	询价
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