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RFM10P12中文资料GESS数据手册PDF规格书

RFM10P12
厂商型号

RFM10P12

功能描述

P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

文件大小

242.88 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 GE Solid State
企业简称

GESS

中文名称

GE Solid State

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 21:28:00

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RFM10P12规格书详情

P-Channel Enhancement - Mode Power Field-Effect Transistors

Features:

■ SOA is power-dissipation limited

■ Nanoseconde switching speeds

■ Linear transfer characteristics

■ High input impedance

■ Majority carrier device

产品属性

  • 型号:

    RFM10P12

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 120V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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