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RFP3055LE	文件：416.36 Kbytes Page：8 Pages	11A,60V,0.107Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheseN-Channelenhancement-modepowerMOSFETsaremanufacturedusingthelatestmanufacturingprocesstechnology.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFP3055LE	文件：86.26 Kbytes Page：8 Pages	11A,60V,0.107Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheseN-Channelenhancement-modepowerMOSFETsaremanufacturedusingthelatestmanufacturingprocesstechnology.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapp	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP3055LE	文件：1.08947 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFT3055	文件：96.11 Kbytes Page：10 Pages	2.0A,60V,0.150Ohm,N-Channel,LogicLevel,ESDRated,PowerMOSFET ThisproductisanN-ChannelpowerMOSFETmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Itwasdesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulato	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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RJP3055DPP	文件：136.18 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFETsandIGBTforPDP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RK3055	文件：135.22 Kbytes Page：4 Pages	Smallswitching(60V,8A) Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)WideSOA(safeoperatingarea). 4)Low-voltagedrive. 5)Easilydesigneddrivecircuits. 6)Easytouseinparallel. Structure SiliconN-channelMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RK3055E	文件：135.22 Kbytes Page：4 Pages	Smallswitching(60V,8A) Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)WideSOA(safeoperatingarea). 4)Low-voltagedrive. 5)Easilydesigneddrivecircuits. 6)Easytouseinparallel. Structure SiliconN-channelMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RK3055E	文件：95.79 Kbytes Page：5 Pages	10VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
S3055	文件：521.059 Kbytes Page：13 Pages	5CHBTLMotorDriveIC	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI

详细参数

型号：
RFD3055LE_Q
功能描述：
MOSFET TO-251AA N-Ch Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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